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PSMN2R0-30PL,127相关型号
Nexperia(安世半导体)热销型号

  • PUMH24,115

    双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7

  • PUMH14,115

    双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7

  • PUMD30,115

    双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7

  • PDTC143XM,315

    双极晶体管 - 预偏置 TRANS RET TAPE-7

  • PDTC114EQAZ

    双极晶体管 - 预偏置 PDTC114EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTC144EQAZ

    双极晶体管 - 预偏置 PDTC144EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTA114EQAZ

    双极晶体管 - 预偏置 PDTA114EQA/DFN1010D-3/REEL 7

  • PDTC124EQAZ

    双极晶体管 - 预偏置 PDTC124EQA/DFN1010D-3/REEL 7

图片仅供参考，请参考产品描述

  • PSMN2R0-30PL,127

  • 制造商：Nexperia
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET N-CH 30V 2.1 mOhm Logic Level MOSFET
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

优势价格，PSMN2R0-30PL,127的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Nexperia
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:Through Hole
  • 封装 / 箱体:TO-220-3
  • 通道数量:1 Channel
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:30 V
  • Id-连续漏极电流:100 A
  • Rds On-漏源导通电阻:2.1 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:1.3 V
  • Vgs - 栅极-源极电压:10 V
  • Qg-栅极电荷:117 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 175 C
  • Pd-功率耗散:211 W
  • 配置:Single
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Tube
  • 晶体管类型:1 N-Channel
  • 商标:Nexperia
  • 下降时间:59 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:125 ns
  • 工厂包装数量:50
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:111 ns
  • 典型接通延迟时间:63 ns
  • 单位重量:6 g

其它信息

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