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PMDPB85UPE,115相关型号

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图片仅供参考，请参考产品描述

  • PMDPB85UPE,115

  • 制造商：Nexperia
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET PMDPB85UPE/HUSON6/REEL 7" Q1/T
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Nexperia
  • 产品种类:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技术:Si
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:DFN-2020-6
  • 通道数量:2 Channel
  • 晶体管极性:P-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:20 V
  • Id-连续漏极电流:3.7 A
  • Rds On-漏源导通电阻:82 mOhms, 82 mOhms
  • Vgs th-栅源极阈值电压:950 mV
  • Vgs - 栅极-源极电压:8 V
  • Qg-栅极电荷:8.1 nC, 8.1 nC
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:1.17 W
  • 配置:Dual
  • 通道模式:Enhancement
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 晶体管类型:2 P-Channel
  • 商标:Nexperia
  • 正向跨导 - 最小值:6 S, 6 S
  • 下降时间:21 ns, 21 ns
  • 产品类型:MOSFET
  • 上升时间:12 ns
  • 工厂包装数量:3000
  • 子类别:MOSFETs
  • 典型关闭延迟时间:47 ns, 47 ns
  • 典型接通延迟时间:6 ns, 6 ns

其它信息

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